이온빔으로 차세대 반도체 소재 고성능화 고안

국내 연구진이 차세대 반도체 소재로 주목받는 하프늄 옥사이드의 성능을 향상하는 방법을 세계 최초로 고안했습니다.

성균관대 김윤석 교수팀은 이온빔을 이용해 하프늄 옥사이드의 강유전성을 200% 이상 증가시키는 방법을 처음으로 고안했다고 밝혔습니다.

강유전성이란 외부 자극에 의해 양극과 음극이 나뉜 뒤 외부 자극이 사라져도 그 상태를 유지하는 성질로, 강유전성이 큰 물질을 사용하면 메모리의 정보 보존 특성이 우수해집니다.

연구팀은 이온빔으로 손쉽게 강유전성을 조절하는 방법을 고안했으며, 하프늄 옥사이드의 강유전성이 증가한 모습을 현미경을 통해 직접 관찰하는 데 성공했습니다.

이번 연구결과는 세계적 국제학술지 '사이언스'에 실렸습니다.

YTN 사이언스 양훼영 (hwe@ytn.co.kr)